IPZ40N04S53R1ATMA1

Specifications

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Ds Breakdown Voltagemin

40V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Transistor Element Material

SILICON

Vgs Max

±20V

Terminal Formu

NO LEAD

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Fet Type

N-Channel

Terminal Pozisyonu

DUAL

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Case Connection

DRAIN

Jesd30 Code

S-PDSO-N3

Drain Currentmax Abs Id

40A

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

7V 10V

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Vgsth Max Id

3.4V @ 30μA

Power Dissipation Max

71W Tc

Avalanche Energy Rating Eas

140 mJ

Montaj Tipi

Surface Mount

Terminal Sayısı

3

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Rds On Max Id Vgs

3.1m Ω @ 20A, 10V

ECCN Kodu

EAR99

Pulsed Drain Currentmax Idm

160A

Current Continuous Drain Id25

40A Tc

Number Of Elements

1

Parça Durumu

Active

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Yayın Yılı

2013

Drain To Source Voltage Vdss

40V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Kılıf / Paket

8-PowerVDFN

Yüzey Montaj

YES

Drainsource On Resistancemax

0.0036Ohm

JESD-609 Kodu

e3

Seri

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Kurşunsuz Kodu

yes