IPU80R1K0CEAKMA1

Specifications

Rds On Max Id Vgs

950m Ω @ 3.6A, 10V

ECCN Kodu

EAR99

Fet Type

N-Channel

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Pulsed Drain Currentmax Idm

18A

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Ambalaj

Tube

Pin Sayısı

3

Power Dissipation Max

83W Tc

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Drain Currentmax Abs Id

5.7A

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Kılıf / Paket

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

JESD-609 Kodu

e3

Current Continuous Drain Id25

5.7A Tc

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Ds Breakdown Voltagemin

800V

Drainsource On Resistancemax

0.95Ohm

Transistor Element Material

SILICON

Vgsth Max Id

3.9V @ 250μA

Yayın Yılı

2008

Input Capacitance Ciss Max Vds

785pF @ 100V

Gate Charge Qg Max Vgs

31nC @ 10V

Kurşunsuz Kodu

yes

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Number Of Elements

1

Vgs Max

±20V

Seri

CoolMOS™ CE

Terminal Sayısı

3

Fabrika Tedarik Süresi

18 Weeks

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Montaj Tipi

Through Hole

Yüzey Montaj

NO

Parça Durumu

Active

Drain To Source Voltage Vdss

800V

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V