IPN80R2K0P7ATMA1

Specifications

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

JESD-609 Kodu

e3

Drain To Source Voltage Vdss

800V

Terminal Pozisyonu

DUAL

Gate Charge Qg Max Vgs

9nC @ 10V

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Drainsource On Resistancemax

2Ohm

Current Continuous Drain Id25

3A Tc

Terminal Formu

GULL WING

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Transistor Application

SWITCHING

Ds Breakdown Voltagemin

800V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

ECCN Kodu

EAR99

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Yüzey Montaj

YES

Fet Type

N-Channel

Terminal Sayısı

3

Rds On Max Id Vgs

2 Ω @ 940mA, 10V

Input Capacitance Ciss Max Vds

175pF @ 500V

Transistor Element Material

SILICON

Vgs Max

±20V

Montaj Tipi

Surface Mount

Kılıf / Paket

TO-261-3

Case Connection

DRAIN

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Fabrika Tedarik Süresi

18 Weeks

Number Of Elements

1

Vgsth Max Id

3.5V @ 50μA

Parça Durumu

Active

Jesd30 Code

R-PDSO-G3

Power Dissipation Max

6W Tc

Yayın Yılı

2014

Seri

CoolMOS™ P7

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)