IPN70R900P7SATMA1

Specifications

Fet Type

N-Channel

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Yüzey Montaj

YES

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Transistor Application

SWITCHING

Ds Breakdown Voltagemin

700V

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

ECCN Kodu

EAR99

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Terminal Formu

GULL WING

Transistor Element Material

SILICON

Input Capacitance Ciss Max Vds

211pF @ 400V

Terminal Sayısı

3

Rds On Max Id Vgs

900m Ω @ 1.1A, 10V

Terminal Pozisyonu

DUAL

JESD-609 Kodu

e3

Drain To Source Voltage Vdss

700V

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Current Continuous Drain Id25

6A Tc

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Drainsource On Resistancemax

0.9Ohm

Gate Charge Qg Max Vgs

6.8nC @ 10V

Jesd30 Code

R-PDSO-G3

Power Dissipation Max

6.5W Tc

Parça Durumu

Active

Vgsth Max Id

3.5V @ 60μA

Yayın Yılı

2014

Seri

CoolMOS™ P7

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Kılıf / Paket

TO-261-3

Case Connection

DRAIN

Vgs Max

±16V

Montaj Tipi

Surface Mount

Number Of Elements

1

Fabrika Tedarik Süresi

18 Weeks

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant