IPN70R2K0P7SATMA1

Specifications

Current Continuous Drain Id25

3A Tc

Gate Charge Qg Max Vgs

3.8nC @ 10V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Drainsource On Resistancemax

2Ohm

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Pozisyonu

DUAL

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Drain To Source Voltage Vdss

700V

JESD-609 Kodu

e3

Input Capacitance Ciss Max Vds

130pF @ 400V

Transistor Element Material

SILICON

Rds On Max Id Vgs

2 Ω @ 500mA, 10V

Terminal Sayısı

3

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Yüzey Montaj

YES

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Fet Type

N-Channel

Terminal Formu

GULL WING

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

ECCN Kodu

EAR99

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

Ds Breakdown Voltagemin

700V

Transistor Application

SWITCHING

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Fabrika Tedarik Süresi

18 Weeks

Number Of Elements

1

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Montaj Tipi

Surface Mount

Vgs Max

±16V

Case Connection

DRAIN

Kılıf / Paket

TO-261-3

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yayın Yılı

2014

Seri

CoolMOS™ P7

Parça Durumu

Active

Power Dissipation Max

6W Tc

Jesd30 Code

R-PDSO-G3

Vgsth Max Id

3.5V @ 30μA