IPD60R180P7ATMA1

Specifications

Fabrika Tedarik Süresi

18 Weeks

Input Capacitance Ciss Max Vds

1081pF @ 400V

ECCN Kodu

EAR99

Drain To Source Voltage Vdss

650V

Transistor Application

SWITCHING

Rds On Max Id Vgs

180m Ω @ 5.6A, 10V

Pulsed Drain Currentmax Idm

53A

Drainsource On Resistancemax

0.18Ohm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Current Continuous Drain Id25

18A Tc

Yayın Yılı

2014

Vgs Max

±20V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Active

Terminal Formu

GULL WING

Transistor Element Material

SILICON

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Ds Breakdown Voltagemin

600V

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Gate Charge Qg Max Vgs

25nC @ 10V

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Number Of Elements

1

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Yüzey Montaj

YES

Terminal Sayısı

2

Power Dissipation Max

72W Tc

Vgsth Max Id

4V @ 280μA

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

JESD-609 Kodu

e3

Kurşunsuz Kodu

yes

Avalanche Energy Rating Eas

56 mJ

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Case Connection

DRAIN

Montaj Tipi

Surface Mount

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE