IPD35N12S3L24ATMA1

Specifications

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Case Connection

DRAIN

Seri

OptiMOS™

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Fet Type

N-Channel

Montaj Tipi

Surface Mount

JESD-609 Kodu

e3

Avalanche Energy Rating Eas

175 mJ

Reference Standard

AEC-Q101

Power Dissipation Max

71W Tc

Vgsth Max Id

2.4V @ 39μA

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Number Of Elements

1

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Terminal Sayısı

2

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Yüzey Montaj

YES

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Gate Charge Qg Max Vgs

39nC @ 10V

Terminal Formu

GULL WING

Vgs Max

±20V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Active

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Ds Breakdown Voltagemin

120V

Transistor Element Material

SILICON

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Yayın Yılı

2017

Current Continuous Drain Id25

35A Tc

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Input Capacitance Ciss Max Vds

2700pF @ 25V

ECCN Kodu

EAR99

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Drain Currentmax Abs Id

35A

Drain To Source Voltage Vdss

120V

Drainsource On Resistancemax

0.032Ohm