BSS159NH6327XTSA2

Specifications

Continuous Drain Current Id

230mA

Current Continuous Drain Id25

230mA Ta

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

0V 10V

Genişlik

1.3mm

Input Capacitance Ciss Max Vds

39pF @ 25V

Terminal Pozisyonu

DUAL

Yükseklik

1.1mm

Seri

SIPMOS®

Number Of Elements

1

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Uzunluk

2.9mm

Element Configuration

Single

Vgsth Max Id

2.4V @ 26μA

Yayın Yılı

2001

Max Junction Temperature Tj

150°C

JESD-609 Kodu

e3

Fet Feature

Depletion Mode

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Fet Type

N-Channel

Transistor Element Material

SILICON

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Turn Off Delay Time

9 ns

Drain To Source Breakdown Voltage

60V

Pin Sayısı

3

Montaj

Surface Mount

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Gate Charge Qg Max Vgs

1.4nC @ 5V

Rds On Max Id Vgs

3.5 Ω @ 160mA, 10V

Terminal Formu

GULL WING

Turn On Delay Time

3.1 ns

Number Of Channels

1

Radyasyon Dayanımı

No

Montaj Tipi

Surface Mount

Parça Durumu

Active

Terminal Sayısı

3

Rise Time

2.9ns

Feedback Capmax Crss

5.9 pF

ECCN Kodu

EAR99