BSC670N25NSFDATMA1

Specifications

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Yüzey Montaj

YES

Rds On Max Id Vgs

67m Ω @ 24A, 10V

Jesd30 Code

R-PDSO-F5

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Terminal Formu

FLAT

Montaj Tipi

Surface Mount

Fet Type

N-Channel

Transistor Element Material

SILICON

Drain To Source Voltage Vdss

250V

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Avalanche Energy Rating Eas

69 mJ

Vgsth Max Id

4V @ 90μA

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Transistor Application

SWITCHING

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Terminal Pozisyonu

DUAL

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Yayın Yılı

2013

Ds Breakdown Voltagemin

250V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Pulsed Drain Currentmax Idm

96A

Drainsource On Resistancemax

0.067Ohm

Seri

OptiMOS™

Input Capacitance Ciss Max Vds

2410pF @ 125V

Number Of Elements

1

ECCN Kodu

EAR99

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kılıf / Paket

8-PowerTDFN

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Parça Durumu

Active

Case Connection

DRAIN

Terminal Sayısı

5

Fabrika Tedarik Süresi

26 Weeks

Vgs Max

±20V

JESD-609 Kodu

e3

Gate Charge Qg Max Vgs

30nC @ 10V

Drain Currentmax Abs Id

24A