DMS3016SSSA-13

Specifications

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Gate To Source Voltage Vgs

12V

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Transistor Application

SWITCHING

Fet Feature

Schottky Diode (Body)

Fabrika Tedarik Süresi

9 Weeks

Reach Svhc

No SVHC

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Rise Time

8.73ns

Radyasyon Dayanımı

No

Vgsth Max Id

2.3V @ 250μA

Terminal Pozisyonu

DUAL

Turn On Delay Time

6.62 ns

Additional Feature

HIGH RELIABILITY

Element Configuration

Single

Kurşunsuz Kodu

yes

Pin Sayısı

8

Transistor Element Material

SILICON

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Terminal Formu

GULL WING

Number Of Channels

1

Number Of Elements

1

Rds On Max Id Vgs

13m Ω @ 9.8A, 10V

Parça Durumu

Obsolete

Gate Charge Qg Max Vgs

43nC @ 10V

Continuous Drain Current Id

9.8A

Power Dissipation Max

1.54W Ta

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Sayısı

8

Pin Sayısı

8

Yayın Yılı

2010

Fet Type

N-Channel

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Ds Breakdown Voltagemin

30V

Current Continuous Drain Id25

9.8A Ta

Turn Off Delay Time

36.41 ns

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V