DMN2112SN-7

Specifications

Yayın Yılı

2014

Turn On Delay Time

10 ns

Vgsth Max Id

1.2V @ 1mA

Montaj

Surface Mount

Power Dissipation

500mW

Genişlik

1.7mm

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Pozisyonu

DUAL

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Transistor Application

SWITCHING

Uzunluk

3.1mm

Number Of Elements

1

Fall Time Typ

65 ns

Transistor Element Material

SILICON

Weight

7.994566mg

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Radyasyon Dayanımı

No

Gate To Source Voltage Vgs

8V

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Fet Type

N-Channel

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Vgs Max

±8V

Reach Svhc

No SVHC

Terminal

SMD/SMT

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Power Dissipation Max

500mW Ta

Additional Feature

HIGH RELIABILITY

Yükseklik

1.3mm

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Nominal Vgs

1.2 V

Drain To Source Breakdown Voltage

20V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Kurşunsuz Kodu

yes

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Current Continuous Drain Id25

1.2A Ta

Continuous Drain Current Id

1.2A

Element Configuration

Single

Threshold Voltage

1.2V

Pin Sayısı

3

Rise Time

15ns