DMN100-7-F

Specifications

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Weight

7.994566mg

Transistor Element Material

SILICON

Fall Time Typ

15 ns

Number Of Elements

1

Uzunluk

3.1mm

Genişlik

1.7mm

Transistor Application

SWITCHING

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Terminal Pozisyonu

DUAL

ECCN Kodu

EAR99

Vgsth Max Id

3V @ 1mA

Turn On Delay Time

10 ns

Yayın Yılı

2011

Power Dissipation

500mW

Montaj

Surface Mount

Yükseklik

1.3mm

Power Dissipation Max

500mW Ta

Additional Feature

HIGH RELIABILITY

Akım Değeri

1.1A

Reach Svhc

No SVHC

Terminal

SMD/SMT

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Vgs Max

±20V

Fet Type

N-Channel

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Radyasyon Dayanımı

No

Number Of Channels

1

Input Capacitance Ciss Max Vds

150pF @ 10V

Pin Sayısı

3

Threshold Voltage

3V

Voltage Rated Dc

30V

Rise Time

15ns

Element Configuration

Single

Continuous Drain Current Id

1.1A

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kurşunsuz Kodu

yes

Current Continuous Drain Id25

1.1A Ta