Request a quote for pricing
Priced by quantity and lead time.
Shipping
Same-day dispatch from stock
Genuine parts
Verified sourcing
RoHS
Compliant
Support
Technical team support
Specifications
- Pin Sayısı
- 6
- Pin Sayısı
- 6
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Additional Feature
- BUILT-IN BIAS RESISTOR
- Hfemin
- 100
- Polarity
- NPN, PNP
- Fabrika Tedarik Süresi
- 19 Weeks
- Montaj
- Surface Mount
- Weight
- 3.005049mg
- Parça Durumu
- Active
- Continuous Collector Current
- 100mA
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 50V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Transistor Type
- 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 100 @ 1mA 5V
- Max Collector Current
- 100mA
- Element Configuration
- Dual
- Transition Frequency
- 250MHz
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 250μA, 2.5mA
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Terminal Sayısı
- 6
- Uzunluk
- 1.6mm
- JESD-609 Kodu
- e3
- Resistor Base R1
- 4.7k Ω
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Yayın Yılı
- 2007
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -55°C
- Yükseklik
- 600μm
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Number Of Channels
- 2
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 150°C
- ECCN Kodu
- EAR99
- Terminal Formu
- FLAT
- Temel Parça No
- DCX143
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Kılıf / Paket
- SOT-563, SOT-666
Related Products
Aptina
EMD4DXV6T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5111DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5114DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5116DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5211DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5213DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5214DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5232DW1T1G
BJT Transistors Arrays