MUN5214DW1T1G

Specifications

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 300μA, 10mA

Kurşunsuz Kodu

yes

Pin Sayısı

6

Voltage Rated Dc

50V

Yükseklik

1mm

Configuration

Dual

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Kurşunsuz

Lead Free

Operating Supply Voltage

50V

Resistor Emitter Base R2

47k Ω

Emittercollector Voltage Max

50(V)

Terminal Formu

GULL WING

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Resistor Base R1

10k Ω

Transistor Application

SWITCHING

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Reach Svhc

No SVHC

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Radyasyon Dayanımı

No

Max Power Dissipation

250mW

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7

Element Configuration

Dual

Uzunluk

2.2mm

ECCN Kodu

EAR99

Temel Parça No

MUN52**DW1T

Tip

NPN

Contact Plating

Tin

Transistor Type

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Continuous Collector Current

100mA

Collector Current Dc

0.1(A)

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Yüzey Montaj

YES

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Typical Resistor Ratio

0.21

Package Type

SC-88

Akım Değeri

100mA

Typical Input Resistor

10

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)