Request a quote for pricing
Priced by quantity and lead time.
Shipping
Same-day dispatch from stock
Genuine parts
Verified sourcing
RoHS
Compliant
Support
Technical team support
Specifications
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 56 @ 10mA 5V
- Max Collector Current
- 100mA
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Transistor Type
- 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 300mV
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Continuous Collector Current
- 100mA
- Fabrika Tedarik Süresi
- 7 Weeks
- Montaj
- Surface Mount
- Parça Durumu
- Active
- Weight
- 3.005049mg
- Hfemin
- 56
- Polarity
- NPN, PNP
- Pin Sayısı
- 6
- Pin Sayısı
- 6
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Kılıf / Paket
- SOT-563, SOT-666
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Temel Parça No
- DCX142
- Max Power Dissipation
- 150mW
- Number Of Elements
- 2
- Frequency Transition
- 200MHz
- Genişlik
- 1.2mm
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 150°C
- ECCN Kodu
- EAR99
- Resistor Emitter Base R2
- 10k Ω
- Terminal Formu
- FLAT
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Number Of Channels
- 2
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Yükseklik
- 600μm
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -55°C
- Yayın Yılı
- 2007
- JESD-609 Kodu
- e3
- Resistor Base R1
- 470 Ω
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Uzunluk
- 1.6mm
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Transition Frequency
- 200MHz
Related Products
Aptina
EMD4DXV6T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5111DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5114DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5116DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5211DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5213DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5214DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5232DW1T1G
BJT Transistors Arrays