BC857B-7-F

Specifications

Kurşunsuz Kodu

yes

Max Collector Current

-100mA

Reach Svhc

No SVHC

Fabrika Tedarik Süresi

19 Weeks

Vce Saturation Max Ib Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Terminal Formu

GULL WING

ECCN Kodu

EAR99

Max Power Dissipation

300mW

Contact Plating

Tin

Emitter Base Voltage Vebo

-5V

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Currentcollector Ic Max

100mA

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

220 @ 2mA 5V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Montaj

Surface Mount

Montaj Tipi

Surface Mount

Pin Sayısı

3

Collector Emitter Voltage Vceo

-45V

Terminal Sayısı

3

Genişlik

1.4mm

Pin Sayısı

3

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Transition Frequency

200MHz

Polaritychannel Type

PNP

Element Configuration

Single

Hfemin

220

Current Collector Cutoff Max

15nA

Transistor Application

SWITCHING

Max Junction Temperature Tj

150°C

Gain Bandwidth Product

200MHz

Uzunluk

3.05mm

Temel Parça No

BC857B

Transistor Element Material

SILICON

Radyasyon Dayanımı

No

Collectoremitter Saturation Voltage

-250mV

Yükseklik

1.1mm

Terminal Pozisyonu

DUAL

Collectoremitter Breakdown Voltage

-45V

Power Dissipation

310mW

Collector Base Voltage Vcbo

-50V