MMUN2231LT1G

Specifications

Frequency Stability

±25ppm

Radyasyon Dayanımı

No

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

8 @ 5mA 10V

Max Power Dissipation

246mW

Frekans

77.76 MHz

Akım Değeri

100mA

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

Fabrika Tedarik Süresi

11 Weeks

ECCN Kodu

EAR99

Kurşunsuz Kodu

yes

Hfemin

8

Transistor Application

SWITCHING

Yüzey Montaj

YES

Tip

XO (Standard)

Transistor Type

NPN - Pre-Biased

Maks. Oturma Yüksekliği

0.039 (1.00mm)

Çalışma Sıcaklığı

-20°C ~ 70°C

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Output

LVCMOS, LVTTL

Uzunluk

3.04mm

Voltage Rated Dc

50V

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Terminal Formu

GULL WING

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 5mA, 10mA

Typical Resistor Ratio

1

Number Of Elements

1

Resistor Base R1

2.2 k Ω

Resistor Emitter Base R2

2.2 k Ω

Configuration

Single

Temel Parça No

MMUN22**L

Package Type

SOT-23

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Yükseklik

1.01mm

Kılıf / Paket

4-SMD, No Lead

Max Breakdown Voltage

50V

Genişlik

1.4mm

Terminal Pozisyonu

DUAL

Boyut / Ölçü

0.276 L x 0.197 W (7.00mm x 5.00mm)

Reach Svhc

No SVHC

Current Supply Max

33mA