MMUN2137LT1G

Specifications

Max Collector Current

100mA

Pin Sayısı

3

JESD-609 Kodu

e3

Other Names

MMUN2137LT1G-ND MMUN2137LT1GOSTR

Terminal Pozisyonu

DUAL

Temperature Coefficient

25 ppm/°C

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Yükseklik

550 µm

Resistor Emitter Base R2

22 kOhms

Resistor Base R1

47 kOhms

Number Of Elements

1

Currentcollector Ic Max

100mA

Terminal Formu

GULL WING

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55 °C

Transistor Type

PNP - Pre-Biased

Yüzey Montaj

YES

Transistor Application

SWITCHING

Kurşunsuz Kodu

yes

ECCN Kodu

EAR99

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Hfemin

80

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 0.47

Radyasyon Dayanımı

No

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 5mA, 10V

Max Power Dissipation

246mW

Power Rating

100 mW

Composition

Thin Film

Halogen Free

Halogen Free

Current Collector Cutoff Max

500nA

Element Configuration

Single

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V

Tolerans

0.25 %

Montaj Tipi

Surface Mount

Maks. Çalışma Sıcaklığı

155 °C

Pin Sayısı

3

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Power Max

246mW