JANTX2N2919U

Specifications

Package Style

SMALL OUTLINE

Çalışma Sıcaklığı

200°C TJ

Fabrika Tedarik Süresi

23 Weeks

Risk Rank

5.24

Maximum Base Emitter Saturation Voltage V

1@100uA@1mA

Eu Rohs

Not Compliant

Power Dissipationmax Abs

1.25 W

REACH Uyumluluk Kodu

compliant

Radyasyon Dayanımı

No

Package Length

4.44(Max)

Technology

Si

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

235

Eccn Us

EAR99

Maks. Çalışma Sıcaklığı

200 °C

Terminal Pozisyonu

DUAL

Minimum Dc Current Gain

60@10uA@5V|100@100uA@5V|150@1mA@5V

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Rohs Code

No

Pin Sayısı

6

Paket

Bulk

Number Of Elements Per Chip

2

Transistor Element Material

SILICON

Material

Si

Qualification Status

Qualified

Collector Currentmax Ic

0.03 A

Number Of Elements

2

Pcb Changed

6

Collectoremitter Voltagemax

60 V

Collector Emitter Voltage Vceo

60V

Polaritychannel Type

NPN

Parça Durumu

Active

Üretici Parça No

JANTX2N2919U

Maximum Collectoremitter Saturation Voltage V

0.3@100uA@1mA

Current Collector Cutoff Max

10μA ICBO

Seri

Military, MIL-PRF-19500/355

Ambalaj

Bulk

HTS Kodu

8541.21.00.95

Jesd30 Code

R-PDSO-N6

Maximum Emitter Base Voltage V

6

Yayın Yılı

2007