Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Qg Gate Charge
- 85 nC
- Pd Power Dissipation
- 37 W
- Fabrika Paket Adedi
- 50
- Kılıf / Paket
- TO-220FP-3
- Typical Turnoff Delay Time
- 63 ns
- Genişlik
- 4.7 mm
- Yükseklik
- 15.49 mm
- Number Of Channels
- 1 Channel
- Vgs Gatesource Voltage
- - 30 V, + 30 V
- Rds On Drainsource Resistance
- 125 mOhms
- Vds Drainsource Breakdown Voltage
- 600 V
- Uzunluk
- 10.41 mm
- Seri
- E
- Minimum Operating Temperature
- - 55 C
- Üretici Parça No
- SIHF30N60E-E3
- Id Continuous Drain Current
- 29 A
- Channel Mode
- Enhancement
- Birim Ağırlık
- 0.068784 oz
- Typical Turnon Delay Time
- 19 ns
- Transistor Polarity
- N-Channel
- Vgs Th Gatesource Threshold Voltage
- 2.8 V
- Rise Time
- 32 ns
- RoHS
- Details
- Montaj Stili
- Through Hole
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 150 C
- Ürün Tipi
- MOSFET
- Configuration
- Single
- Ambalaj
- Tube
- Technology
- Si
İlgili Ürünler
ON Semiconductor
1HN04CH-TL-W
Single MOSFETs Transistors
ON Semiconductor
1HP04CH-TL-W
Single MOSFETs Transistors
Microchip Technology
2N6660
Single MOSFETs Transistors
Microchip Technology
2N6661
Single MOSFETs Transistors
Infineon
2N6788
Single MOSFETs Transistors
ON Semiconductor
2N7000-D26Z
Single MOSFETs Transistors
Microchip Technology
2N7000-G
Single MOSFETs Transistors
ON Semiconductor
2N7000BU
Single MOSFETs Transistors