Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Drain To Source Resistance
- 12 Ω
- Yüzey Montaj
- NO
- Rohs Code
- Yes
- RoHS
- Compliant
- Power Dissipation
- 350 mW
- Moisture Sensitivity Levels
- 1
- Akım Değeri
- 50 mA
- Risk Rank
- 5.82
- Package Description
- ,
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -55 °C
- JESD-609 Kodu
- e3
- Ihs Manufacturer
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 150 °C
- Polaritychannel Type
- N-CHANNEL
- Part Life Cycle Code
- Obsolete
- Element Configuration
- Single
- REACH Uyumluluk Kodu
- unknown
- Fet Technology
- JUNCTION
- Power Dissipationmax Abs
- 0.4 W
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Montaj
- Through Hole
- Continuous Drain Current Id
- 40 mA
- Gate To Source Voltage Vgs
- -25 V
- Pin Sayısı
- 3
- Operating Temperaturemax
- 150 °C
- Üretici Parça No
- J109-E3
İlgili Ürünler
Microsemi
0150SC-1250M
JFETs Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2608
JFETs Transistors
Microchip Technology
2N2608UB
JFETs Transistors
Microchip Technology
2N2608UB/TR
JFETs Transistors
Microsemi Corporation
2N2609
JFETs Transistors
Vishay
2N3819
JFETs Transistors
Central Semiconductor
2N3819 APM PBFREE
JFETs Transistors
Rochester Electronics
2N3819_Q
JFETs Transistors