CSD18514Q5AT

Teknik Özellikler

Kılıf / Paket

8-PowerTDFN

Gate Charge Qg Max Vgs

40nC @ 10V

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Terminal Formu

NO LEAD

Transistor Element Material

SILICON

Fet Type

N-Channel

Fabrika Tedarik Süresi

6 Weeks

Additional Feature

AVALANCHE RATED

Drainsource On Resistancemax

0.0079Ohm

Terminal Sayısı

5

Uzunluk

4.9mm

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

Ds Breakdown Voltagemin

40V

Element Configuration

Single

Drain To Source Voltage Vdss

40V

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Pin Sayısı

8

Vgsth Max Id

2.4V @ 250μA

Case Connection

DRAIN

JESD-609 Kodu

e3

Pulsed Drain Currentmax Idm

237A

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Kurşunsuz Kodu

yes

Genişlik

6mm

Transistor Application

SWITCHING

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Yüzey Montaj

YES

Number Of Elements

1

Terminal Pozisyonu

DUAL

Parça Durumu

Active

Temel Parça No

CSD18514

Avalanche Energy Rating Eas

55 mJ

Montaj Tipi

Surface Mount

Power Dissipation Max

74W Tc

Vgs Max

±20V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V