CSD18513Q5A

Teknik Özellikler

Thickness

1mm

Seri

NexFET™

Input Capacitance Ciss Max Vds

4280pF @ 20V

Current Continuous Drain Id25

124A Tc

Rds On Max Id Vgs

5.3m Ω @ 19A, 10V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Vgs Max

±20V

Avalanche Energy Rating Eas

106 mJ

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Parça Durumu

Active

Number Of Elements

1

Terminal Pozisyonu

DUAL

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Case Connection

DRAIN

Ds Breakdown Voltagemin

40V

Uzunluk

4.9mm

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Drainsource On Resistancemax

0.0053Ohm

Gate Charge Qg Max Vgs

61nC @ 10V

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Kılıf / Paket

8-PowerTDFN

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Transistor Element Material

SILICON

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Temel Parça No

CSD18513

Montaj Tipi

Surface Mount

Power Dissipation Max

96W Tc

Yüzey Montaj

YES

Pulsed Drain Currentmax Idm

400A

JESD-609 Kodu

e3

Transistor Application

SWITCHING

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Kurşunsuz Kodu

yes

Genişlik

6mm

Element Configuration

Single

Drain To Source Voltage Vdss

40V