CSD18510KTTT

Teknik Özellikler

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Pulsed Drain Currentmax Idm

400A

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

JESD-609 Kodu

e3

Case Connection

DRAIN

Nem Hassasiyeti (MSL)

2 (1 Year)

Transistor Application

SWITCHING

Genişlik

8.41mm

Kurşunsuz Kodu

yes

Drain To Source Voltage Vdss

40V

Ds Breakdown Voltagemin

40V

Element Configuration

Single

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

Uzunluk

10.18mm

Terminal Sayısı

2

Vgsth Max Id

2.3V @ 250μA

Pin Sayısı

3

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Additional Feature

AVALANCHE RATED

Feedback Capmax Crss

551 pF

Drainsource On Resistancemax

0.0026Ohm

Drain Currentmax Abs Id

200A

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Gate Charge Qg Max Vgs

132nC @ 10V

Kılıf / Paket

TO-263-4, D2Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

Fabrika Tedarik Süresi

6 Weeks

Fet Type

N-Channel

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Formu

GULL WING

Seri

NexFET™

Thickness

4.44mm

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Input Capacitance Ciss Max Vds

11400pF @ 15V

Rds On Max Id Vgs

2.6m Ω @ 100A, 10V

Current Continuous Drain Id25

274A Tc

Yükseklik

4.83mm

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Vgs Max

±20V

Temel Parça No

CSD18510