STW77N65M5

Teknik Özellikler

Current Continuous Drain Id25

69A Tc

Radyasyon Dayanımı

No

Terminal Sayısı

3

Transistor Application

SWITCHING

Direnç

38mOhm

Pin Sayısı

3

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Rise Time

22ns

Power Dissipation

400W

Pin Sayısı

3

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Gate To Source Voltage Vgs

25V

Parça Durumu

Active

Fet Type

N-Channel

Continuous Drain Current Id

69A

Temel Parça No

STW77N

Kurşunsuz

Lead Free

Vgsth Max Id

5V @ 250μA

JESD-609 Kodu

e3

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

Montaj Tipi

Through Hole

Pulsed Drain Currentmax Idm

276A

Genişlik

5.15mm

Ambalaj

Tube

Transistor Element Material

SILICON

ECCN Kodu

EAR99

Fall Time Typ

20 ns

Uzunluk

15.75mm

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Drain To Source Breakdown Voltage

650V

Seri

MDmesh™ V

Input Capacitance Ciss Max Vds

9800pF @ 100V

Element Configuration

Single

Yükseklik

20.15mm

Fabrika Tedarik Süresi

17 Weeks

Reach Svhc

No SVHC

Rds On Max Id Vgs

38m Ω @ 34.5A, 10V

Threshold Voltage

4V

Kılıf / Paket

TO-247-3

Gate Charge Qg Max Vgs

200nC @ 10V