STW55NM60N

Teknik Özellikler

Gate Charge Qg Max Vgs

190nC @ 10V

Turn Off Delay Time

225 ns

Number Of Elements

1

Avalanche Energy Rating Eas

850 mJ

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation Max

350W Tc

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Montaj

Through Hole

Ambalaj

Tube

Kurşunsuz Kodu

yes

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Element Material

SILICON

Fall Time Typ

70 ns

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Drain To Source Breakdown Voltage

600V

Seri

MDmesh™ II

Input Capacitance Ciss Max Vds

5800pF @ 50V

Jedec95 Code

TO-247AC

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Element Configuration

Single

Rds On Max Id Vgs

60m Ω @ 25.5A, 10V

Kılıf / Paket

TO-247-3

Temel Parça No

STW55N

Kurşunsuz

Lead Free

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Qualification Status

Not Qualified

JESD-609 Kodu

e3

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Montaj Tipi

Through Hole

Pulsed Drain Currentmax Idm

204A

Current Continuous Drain Id25

51A Tc

Vgs Max

±25V

Terminal Sayısı

3

Transistor Application

SWITCHING

Direnç

60MOhm

Pin Sayısı

3

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Rise Time

30ns