STW24NM60N

Teknik Özellikler

Terminal Sayısı

3

Vgs Max

±30V

Radyasyon Dayanımı

No

Current Continuous Drain Id25

17A Tc

Pin Sayısı

3

Direnç

190MOhm

Transistor Application

SWITCHING

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Pin Sayısı

3

Power Dissipation

125W

Rise Time

16.5ns

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Continuous Drain Current Id

17A

Fet Type

N-Channel

Parça Durumu

Active

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Kurşunsuz

Lead Free

Temel Parça No

STW24N

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Turn On Delay Time

11.5 ns

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Genişlik

5.15mm

Pulsed Drain Currentmax Idm

68A

Montaj Tipi

Through Hole

Transistor Element Material

SILICON

ECCN Kodu

EAR99

Ambalaj

Tube

Drain To Source Breakdown Voltage

600V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Uzunluk

15.75mm

Fall Time Typ

37 ns

Yükseklik

20.15mm

Element Configuration

Single

Input Capacitance Ciss Max Vds

1400pF @ 50V

Seri

MDmesh™ II

Kılıf / Paket

TO-247-3

Threshold Voltage

3V

Rds On Max Id Vgs

190m Ω @ 8A, 10V

Reach Svhc

No SVHC

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks