STW20NM60FD

Teknik Özellikler

Pin Sayısı

3

Direnç

290mOhm

Vgs Max

±30V

Radyasyon Dayanımı

No

Max Junction Temperature Tj

150°C

Power Dissipation

214W

Rise Time

12ns

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Temel Parça No

STW20N

Kurşunsuz

Lead Free

Number Of Channels

1

Vgsth Max Id

5V @ 250μA

Contact Plating

Tin

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Element Material

SILICON

Ambalaj

Tube

Rds On Max Id Vgs

290m Ω @ 10A, 10V

Threshold Voltage

3V

Yükseklik

24.45mm

Element Configuration

Single

Input Capacitance Ciss Max Vds

1300pF @ 25V

Akım Değeri

20A

Power Dissipation Max

214W Tc

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Sayısı

3

Current Continuous Drain Id25

20A Tc

Continuous Drain Current Id

20A

Parça Durumu

Active

Fet Type

N-Channel

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Pin Sayısı

3

Genişlik

5.15mm

Montaj Tipi

Through Hole

Pulsed Drain Currentmax Idm

80A

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Turn On Delay Time

25 ns

JESD-609 Kodu

e3

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)