STW20NM50FD

Teknik Özellikler

Ambalaj

Tube

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Element Material

SILICON

Contact Plating

Tin

Input Capacitance Ciss Max Vds

1380pF @ 25V

Element Configuration

Single

Yükseklik

6.35mm

Threshold Voltage

4V

Rds On Max Id Vgs

250m Ω @ 10A, 10V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation Max

214W Tc

Akım Değeri

20A

Radyasyon Dayanımı

No

Vgs Max

±30V

Direnç

250mOhm

Pin Sayısı

3

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Rise Time

20ns

Power Dissipation

214W

Temel Parça No

STW20N

Kurşunsuz

Lead Free

Weight

9.071847g

Vgsth Max Id

5V @ 250μA

Fall Time Typ

15 ns

Uzunluk

38.1mm

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Drain To Source Breakdown Voltage

500V

Seri

FDmesh™

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Reach Svhc

No SVHC

Kılıf / Paket

TO-247-3

Gate Charge Qg Max Vgs

53nC @ 10V

Number Of Elements

1

Avalanche Energy Rating Eas

700 mJ

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Voltage Rated Dc

500V

Montaj

Through Hole

Current Continuous Drain Id25

20A Tc

Terminal Sayısı

3

Transistor Application

SWITCHING