STW18NM60N

Teknik Özellikler

Input Capacitance Ciss Max Vds

1000pF @ 50V

Yükseklik

20.15mm

Threshold Voltage

3V

Rds On Max Id Vgs

285m Ω @ 6.5A, 10V

Ambalaj

Tube

Transistor Element Material

SILICON

ECCN Kodu

EAR99

Power Dissipation Max

110W Tc

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Power Dissipation

80W

Rise Time

15ns

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Ds Breakdown Voltagemin

600V

Radyasyon Dayanımı

No

Vgs Max

±25V

Pin Sayısı

3

Direnç

285mOhm

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Temel Parça No

STW18N

Kurşunsuz

Lead Free

Seri

MDmesh™ II

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Kılıf / Paket

TO-247-3

Reach Svhc

No SVHC

Uzunluk

15.75mm

Fall Time Typ

25 ns

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Number Of Elements

1

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Drain To Source Voltage Vdss

600V

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn) - annealed

Montaj

Through Hole

Turn Off Delay Time

55 ns

Gate Charge Qg Max Vgs

35nC @ 10V

Pin Sayısı

3

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Gate To Source Voltage Vgs

25V

Continuous Drain Current Id

13A

Fet Type

N-Channel