STW15N80K5

Teknik Özellikler

Uzunluk

15.75mm

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Ambalaj

Tube

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Element Material

SILICON

Fabrika Tedarik Süresi

17 Weeks

Kılıf / Paket

TO-247-3

Rds On Max Id Vgs

375m Ω @ 7A, 10V

Seri

SuperMESH5™

Input Capacitance Ciss Max Vds

1100pF @ 100V

Yükseklik

20.15mm

Element Configuration

Single

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Gate Charge Qg Max Vgs

32nC @ 10V

Turn Off Delay Time

44 ns

Drain To Source Voltage Vdss

800V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Montaj

Through Hole

Number Of Elements

1

Power Dissipation Max

190W Tc

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Transistor Application

SWITCHING

Pin Sayısı

3

Ds Breakdown Voltagemin

800V

Current Continuous Drain Id25

14A Tc

Terminal Sayısı

3

Vgs Max

±30V

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Continuous Drain Current Id

14A

Parça Durumu

Active

Fet Type

N-Channel

Power Dissipation

190W

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Temel Parça No

STW15N

Kurşunsuz

Lead Free

Genişlik

5.15mm

Montaj Tipi

Through Hole

Pulsed Drain Currentmax Idm

56A