STW120NF10

Teknik Özellikler

Power Dissipation

312W

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Rise Time

90ns

Pin Sayısı

3

Direnç

10.5mOhm

Vgs Max

±20V

Radyasyon Dayanımı

No

Additional Feature

AVALANCHE RATED

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Kurşunsuz

Lead Free

Temel Parça No

STW120

Rds On Max Id Vgs

10.5m Ω @ 60A, 10V

Threshold Voltage

4V

Yükseklik

20.15mm

Element Configuration

Single

Input Capacitance Ciss Max Vds

5200pF @ 25V

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Element Material

SILICON

Ambalaj

Tube

Akım Değeri

120A

Power Dissipation Max

312W Tc

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Continuous Drain Current Id

110A

Fet Type

N-Channel

Parça Durumu

Active

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Pin Sayısı

3

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Case Connection

DRAIN

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Sayısı

3

Current Continuous Drain Id25

110A Tc

Genişlik

5.15mm

Pulsed Drain Currentmax Idm

440A

Montaj Tipi

Through Hole

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Turn On Delay Time

25 ns

JESD-609 Kodu

e3

Kılıf / Paket

TO-247-3

Reach Svhc

No SVHC