STW10NK80Z

Teknik Özellikler

Akım Değeri

9A

Power Dissipation Max

160W Tc

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Threshold Voltage

3.75V

Rds On Max Id Vgs

900m Ω @ 4.5A, 10V

Input Capacitance Ciss Max Vds

2180pF @ 25V

Yükseklik

20.15mm

Element Configuration

Single

Ambalaj

Tube

Transistor Element Material

SILICON

ECCN Kodu

EAR99

Vgsth Max Id

4.5V @ 100μA

Kurşunsuz

Lead Free

Temel Parça No

STW10N

Drain Currentmax Abs Id

9A

Power Dissipation

160W

Rise Time

20ns

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Pin Sayısı

3

Direnç

900mOhm

Radyasyon Dayanımı

No

Vgs Max

±30V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Montaj

Through Hole

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Voltage Rated Dc

800V

Number Of Elements

1

Avalanche Energy Rating Eas

290 mJ

Gate Charge Qg Max Vgs

72nC @ 10V

Turn Off Delay Time

65 ns

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Kılıf / Paket

TO-247-3

Reach Svhc

No SVHC

Seri

SuperMESH™

Uzunluk

15.75mm

Fall Time Typ

17 ns

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Drain To Source Breakdown Voltage

800V

Genişlik

5.15mm

Montaj Tipi

Through Hole