STU10NM60N

Teknik Özellikler

Power Dissipation

70W

Drain To Source Voltage Vdss

600V

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn) - annealed

Pin Sayısı

3

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Sayısı

3

Genişlik

2.4mm

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Application

SWITCHING

Pin Sayısı

3

Current Continuous Drain Id25

10A Tc

Power Dissipation Max

70W Tc

Seri

MDmesh™ II

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Turn Off Delay Time

32 ns

Kılıf / Paket

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Gate To Source Voltage Vgs

25V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

JESD-609 Kodu

e3

Yükseklik

6.9mm

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Temel Parça No

STU10N

Fet Type

N-Channel

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Gate Charge Qg Max Vgs

19nC @ 10V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Parça Durumu

Active

Transistor Element Material

SILICON

Input Capacitance Ciss Max Vds

540pF @ 50V

Fabrika Tedarik Süresi

26 Weeks

Montaj

Through Hole

Turn On Delay Time

10 ns

Ambalaj

Tube

Number Of Elements

1

Threshold Voltage

3V

Drain Currentmax Abs Id

8A

Drainsource On Resistancemax

0.55Ohm