STS7PF30L

Teknik Özellikler

Seri

STripFET™ II

Yükseklik

1.25mm

Transistor Application

SWITCHING

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Vgs Max

±20V

Current Continuous Drain Id25

7A Tc

Gate Charge Qg Max Vgs

38nC @ 4.5V

Uzunluk

5mm

Direnç

21mOhm

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

4.5V 10V

Rds On Max Id Vgs

21m Ω @ 3.5A, 10V

Transistor Element Material

SILICON

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Gate To Source Voltage Vgs

20V

ECCN Kodu

EAR99

Number Of Elements

1

Power Dissipation Max

2.5W Tc

Akım

7A

Drain To Source Breakdown Voltage

-30V

Turn On Delay Time

68 ns

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Power Dissipation

2.5W

Montaj Tipi

Surface Mount

Gerilim

30V

Terminal Sayısı

8

Fabrika Tedarik Süresi

40 Weeks

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

8

Rise Time

54ns

Montaj

Surface Mount

Vgsth Max Id

2.5V @ 250μA

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Akım Değeri

-7A

Terminal Formu

GULL WING

Genişlik

4mm

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Fall Time Typ

23 ns

Terminal Pozisyonu

DUAL

Pin Sayısı

8