STQ3N45K3-AP

Teknik Özellikler

Current Continuous Drain Id25

600mA Tc

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

2.5W

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kurşunsuz

Lead Free

Temel Parça No

STQ3

Uzunluk

4.95mm

Element Configuration

Single

Transistor Application

SWITCHING

Radyasyon Dayanımı

No

Drain To Source Breakdown Voltage

450V

Rds On Max Id Vgs

3.8 Ω @ 500mA, 10V

Pulsed Drain Currentmax Idm

2.4A

Drain Currentmax Abs Id

0.6A

ECCN Kodu

EAR99

Input Capacitance Ciss Max Vds

150pF @ 25V

Yükseklik

4.95mm

Gate Charge Qg Max Vgs

6nC @ 10V

Pin Sayısı

3

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Pin Sayısı

3

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Parça Durumu

Active

Vgs Max

±30V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Montaj

Through Hole

Vgsth Max Id

4.5V @ 50μA

Power Dissipation Max

3W Tc

Ambalaj

Tape & Box (TB)

Terminal Sayısı

3

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Number Of Elements

1

Lifecycle Status

NRND (Last Updated: 8 months ago)

Montaj Tipi

Through Hole

Reach Svhc

No SVHC

Fet Type

N-Channel

Seri

SuperMESH3™