STP9NM60N

Teknik Özellikler

Gate To Source Voltage Vgs

25V

Continuous Drain Current Id

6.5A

Kılıf / Paket

TO-220-3

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

70W

Rise Time

23ns

Fall Time Typ

26.7 ns

Number Of Elements

1

Temel Parça No

STP9N

Pin Sayısı

3

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Turn Off Delay Time

52.5 ns

Montaj Tipi

Through Hole

Transistor Element Material

SILICON

Input Capacitance Ciss Max Vds

452pF @ 50V

Pin Sayısı

3

Genişlik

4.6mm

Seri

MDmesh™ II

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Drain To Source Voltage Vdss

600V

Drain Currentmax Abs Id

9A

Parça Durumu

Active

Kurşunsuz

Lead Free

Radyasyon Dayanımı

No

Gate Charge Qg Max Vgs

17.4nC @ 10V

Jedec95 Code

TO-220AB

Lifecycle Status

NRND (Last Updated: 7 months ago)

JESD-609 Kodu

e3

Fet Type

N-Channel

ECCN Kodu

EAR99

Threshold Voltage

3V

Drainsource On Resistancemax

0.745Ohm

Ds Breakdown Voltagemin

600V

Yükseklik

15.75mm

Montaj

Through Hole

Pulsed Drain Currentmax Idm

26A

Terminal Sayısı

3

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant