STP8NM50N

Teknik Özellikler

Power Dissipation Max

45W Tc

Ambalaj

Tube

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Application

SWITCHING

Rds On Max Id Vgs

790m Ω @ 2.5A, 10V

Vgs Max

±25V

Turn On Delay Time

7 ns

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Current Continuous Drain Id25

5A Tc

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Uzunluk

10.4mm

Reach Svhc

No SVHC

Yükseklik

16.4mm

Montaj

Through Hole

Pulsed Drain Currentmax Idm

20A

Terminal Sayısı

3

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Gate Charge Qg Max Vgs

14nC @ 10V

Kurşunsuz

Lead Free

Parça Durumu

Active

Drain Currentmax Abs Id

5A

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Radyasyon Dayanımı

No

Threshold Voltage

3V

Fet Type

N-Channel

ECCN Kodu

EAR99

Jedec95 Code

TO-220AB

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

JESD-609 Kodu

e3

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Seri

MDmesh™ II

Genişlik

4.6mm

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Pin Sayısı

3

Input Capacitance Ciss Max Vds

364pF @ 50V

Transistor Element Material

SILICON

Turn Off Delay Time

25 ns

Montaj Tipi

Through Hole