STP8NK100Z

Teknik Özellikler

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Element Configuration

Single

Power Dissipation Max

160W Tc

Ambalaj

Tube

Turn On Delay Time

28 ns

Vgs Max

±30V

Transistor Application

SWITCHING

Rds On Max Id Vgs

1.85 Ω @ 3.15A, 10V

Vgsth Max Id

4.5V @ 100μA

Current Continuous Drain Id25

6.5A Tc

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Reach Svhc

No SVHC

Uzunluk

10.4mm

Weight

4.535924g

Voltage Rated Dc

1kV

Montaj

Through Hole

Yükseklik

9.15mm

Terminal Sayısı

3

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Radyasyon Dayanımı

No

Parça Durumu

Active

Kurşunsuz

Lead Free

Drain To Source Voltage Vdss

1000V

Gate Charge Qg Max Vgs

102nC @ 10V

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

ECCN Kodu

EAR99

Fet Type

N-Channel

JESD-609 Kodu

e3

Jedec95 Code

TO-220AB

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Threshold Voltage

3.75V

Genişlik

4.6mm

Seri

SuperMESH™

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Terminal Kaplaması

TIN

Pin Sayısı

3

Input Capacitance Ciss Max Vds

2180pF @ 25V

Transistor Element Material

SILICON

Turn Off Delay Time

59 ns

Montaj Tipi

Through Hole