STP8N80K5

Teknik Özellikler

Vgsth Max Id

5V @ 100μA

Current Continuous Drain Id25

6A Tc

Uzunluk

10.4mm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Power Dissipation Max

110W Tc

Element Configuration

Single

Ambalaj

Tube

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Application

SWITCHING

Rds On Max Id Vgs

950m Ω @ 3A, 10V

Turn On Delay Time

12 ns

Vgs Max

±30V

Gate Charge Qg Max Vgs

16.5nC @ 10V

Fabrika Tedarik Süresi

17 Weeks

Radyasyon Dayanımı

No

Drain Currentmax Abs Id

6A

Parça Durumu

Active

Kurşunsuz

Lead Free

ECCN Kodu

EAR99

Fet Type

N-Channel

JESD-609 Kodu

e3

Jedec95 Code

TO-220AB

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Montaj

Through Hole

Yükseklik

15.75mm

Terminal Sayısı

3

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Pulsed Drain Currentmax Idm

24A

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Transistor Element Material

SILICON

Input Capacitance Ciss Max Vds

450pF @ 100V

Pin Sayısı

3

Montaj Tipi

Through Hole

Turn Off Delay Time

32 ns

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Seri

SuperMESH5™

Genişlik

4.6mm

Power Dissipation

110W

Rise Time

14ns

Case Connection

DRAIN