STP8N65M5

Teknik Özellikler

Direnç

600mOhm

Drain To Source Breakdown Voltage

650V

Fall Time Typ

11 ns

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Gate To Source Voltage Vgs

25V

Kılıf / Paket

TO-220-3

Continuous Drain Current Id

7A

Power Dissipation

70W

Rise Time

14ns

Temel Parça No

STP8N

Pin Sayısı

3

Additional Feature

ULTRA-LOW RESISTANCE

Number Of Elements

1

Montaj Tipi

Through Hole

Turn Off Delay Time

20 ns

Transistor Element Material

SILICON

Input Capacitance Ciss Max Vds

690pF @ 100V

Pin Sayısı

3

Genişlik

4.6mm

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Seri

MDmesh™ V

Jedec95 Code

TO-220AB

ECCN Kodu

EAR99

Fet Type

N-Channel

Threshold Voltage

4V

Radyasyon Dayanımı

No

Drain Currentmax Abs Id

7A

Parça Durumu

Obsolete

Kurşunsuz

Lead Free

Gate Charge Qg Max Vgs

15nC @ 10V

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Terminal Sayısı

3

Pulsed Drain Currentmax Idm

28A

Montaj

Through Hole

Yükseklik

15.75mm

Reach Svhc

No SVHC

Uzunluk

10.4mm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kurşunsuz Kodu

yes

Current Continuous Drain Id25

7A Tc