STP80PF55

Teknik Özellikler

Number Of Elements

1

Pin Sayısı

3

Temel Parça No

STP80P

Power Dissipation

300W

Rise Time

190ns

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Gate To Source Voltage Vgs

16V

Kılıf / Paket

TO-220-3

Continuous Drain Current Id

80A

Fall Time Typ

80 ns

Drain To Source Breakdown Voltage

-55V

Akım Değeri

-80A

Direnç

18mOhm

Seri

STripFET™ II

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Genişlik

4.6mm

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Input Capacitance Ciss Max Vds

5500pF @ 25V

Pin Sayısı

3

Transistor Element Material

SILICON

Montaj Tipi

Through Hole

Turn Off Delay Time

165 ns

Montaj

Through Hole

Yükseklik

9.15mm

Voltage Rated Dc

-55V

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Terminal Sayısı

3

Gate Charge Qg Max Vgs

258nC @ 10V

Radyasyon Dayanımı

No

Parça Durumu

Obsolete

Kurşunsuz

Lead Free

Drain To Source Voltage Vdss

55V

Threshold Voltage

-3V

ECCN Kodu

EAR99

Fet Type

P-Channel

JESD-609 Kodu

e3

Jedec95 Code

TO-220AB

Power Dissipation Max

300W Tc

Element Configuration

Single

Ambalaj

Tube