STP80NF55L-06

Teknik Özellikler

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Power Dissipation Max

300W Tc

Element Configuration

Single

Ambalaj

Tube

Vgs Max

±16V

Turn On Delay Time

32 ns

Transistor Application

SWITCHING

Rds On Max Id Vgs

6.5m Ω @ 40A, 10V

Vgsth Max Id

1V @ 250μA

Current Continuous Drain Id25

80A Tc

Reach Svhc

No SVHC

Uzunluk

10.4mm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Voltage Rated Dc

55V

Yükseklik

15.75mm

Montaj

Through Hole

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

5V 10V

Terminal Sayısı

3

Kurşunsuz

Lead Free

Parça Durumu

Active

Radyasyon Dayanımı

No

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Gate Charge Qg Max Vgs

136nC @ 5V

Fet Type

N-Channel

ECCN Kodu

EAR99

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Jedec95 Code

TO-220AB

JESD-609 Kodu

e3

Threshold Voltage

3V

Genişlik

4.6mm

Seri

STripFET™ II

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Pin Sayısı

3

Input Capacitance Ciss Max Vds

4850pF @ 25V

Transistor Element Material

SILICON

Turn Off Delay Time

135 ns

Montaj Tipi

Through Hole

Number Of Elements

1

Temel Parça No

STP80N