STP80NF55-06

Teknik Özellikler

Ambalaj

Tube

Power Dissipation Max

300W Tc

Element Configuration

Single

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Rds On Max Id Vgs

6.5m Ω @ 40A, 10V

Transistor Application

SWITCHING

Turn On Delay Time

27 ns

Vgs Max

±20V

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Weight

9.071847g

Reach Svhc

No SVHC

Uzunluk

10.4mm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Current Continuous Drain Id25

80A Tc

Montaj

Through Hole

Yükseklik

9.15mm

Voltage Rated Dc

55V

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Terminal Sayısı

3

Gate Charge Qg Max Vgs

189nC @ 10V

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Radyasyon Dayanımı

No

Kurşunsuz

Lead Free

Parça Durumu

Active

Threshold Voltage

3V

JESD-609 Kodu

e3

Jedec95 Code

TO-220AB

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

ECCN Kodu

EAR99

Fet Type

N-Channel

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Seri

STripFET™ II

Genişlik

4.6mm

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Montaj Tipi

Through Hole

Turn Off Delay Time

125 ns

Transistor Element Material

SILICON

Input Capacitance Ciss Max Vds

4400pF @ 25V

Pin Sayısı

3

Number Of Elements

1