STP7NK80Z

Teknik Özellikler

Power Dissipation

125W

Rise Time

12ns

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Kılıf / Paket

TO-220-3

Continuous Drain Current Id

5.2A

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Fall Time Typ

20 ns

Akım Değeri

5.2A

Drain To Source Breakdown Voltage

800V

Number Of Elements

1

Additional Feature

AVALANCHE RATED

Pin Sayısı

3

Temel Parça No

STP7N

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn) - annealed

Transistor Element Material

SILICON

Input Capacitance Ciss Max Vds

1138pF @ 25V

Pin Sayısı

3

Montaj Tipi

Through Hole

Turn Off Delay Time

45 ns

Seri

SuperMESH™

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Genişlik

4.6mm

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Gate Charge Qg Max Vgs

56nC @ 10V

Kurşunsuz

Lead Free

Parça Durumu

Active

Radyasyon Dayanımı

No

Threshold Voltage

3.75V

Fet Type

N-Channel

ECCN Kodu

EAR99

Jedec95 Code

TO-220AB

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

JESD-609 Kodu

e3

Yükseklik

9.15mm

Montaj

Through Hole

Voltage Rated Dc

800V

Pulsed Drain Currentmax Idm

20.8A

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Terminal Sayısı

3

Vgsth Max Id

4.5V @ 100μA