STP5N62K3

Teknik Özellikler

Current Continuous Drain Id25

4.2A Tc

Uzunluk

10.4mm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

ECCN Kodu

EAR99

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Transistor Application

SWITCHING

Genişlik

4.6mm

Drain To Source Breakdown Voltage

620V

Montaj

Through Hole

Power Dissipation

70W

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Vgsth Max Id

4.5V @ 50μA

Turn On Delay Time

12 ns

Direnç

1.6Ohm

Input Capacitance Ciss Max Vds

680pF @ 50V

Rise Time

8ns

Jedec95 Code

TO-220AB

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Threshold Voltage

3.75V

Pin Sayısı

3

Element Configuration

Single

Number Of Elements

1

Transistor Element Material

SILICON

Continuous Drain Current Id

4.2A

Fall Time Typ

21 ns

Temel Parça No

STP5N

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Terminal Sayısı

3

Fet Type

N-Channel

Gate Charge Qg Max Vgs

26nC @ 10V

Pin Sayısı

3

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Seri

SuperMESH3™

Radyasyon Dayanımı

No

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Parça Durumu

Active

Montaj Tipi

Through Hole

Yükseklik

15.75mm

Kurşunsuz

Lead Free

Additional Feature

ULTRA LOW-ON RESISTANCE