STP5N52K3

Teknik Özellikler

Radyasyon Dayanımı

No

Gate Charge Qg Max Vgs

14nC @ 10V

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Seri

SuperMESH3™

Pin Sayısı

3

Terminal Sayısı

3

Temel Parça No

STP5N

Fet Type

N-Channel

Turn Off Delay Time

29 ns

Vgs Max

±30V

Kılıf / Paket

TO-220-3

Ambalaj

Tube

JESD-609 Kodu

e3

Reach Svhc

No SVHC

Kurşunsuz

Lead Free

Power Dissipation Max

70W Tc

Rds On Max Id Vgs

1.5 Ω @ 2.2A, 10V

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Parça Durumu

Obsolete

Montaj Tipi

Through Hole

Yükseklik

15.75mm

Direnç

1.5Ohm

Power Dissipation

70W

Montaj

Through Hole

Turn On Delay Time

9 ns

Vgsth Max Id

4.5V @ 50μA

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

ECCN Kodu

EAR99

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Transistor Application

SWITCHING

Genişlik

4.6mm

Drain To Source Breakdown Voltage

525V

Current Continuous Drain Id25

4.4A Tc

Kurşunsuz Kodu

yes

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Uzunluk

10.4mm

Transistor Element Material

SILICON

Fall Time Typ

16 ns

Continuous Drain Current Id

4.4A