STP55NF06

Teknik Özellikler

Akım Değeri

50A

Power Dissipation Max

110W Tc

Yükseklik

9.15mm

Vgs Max

±20V

Kılıf / Paket

TO-220-3

Ambalaj

Tube

Reach Svhc

No SVHC

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Fet Type

N-Channel

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Radyasyon Dayanımı

No

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Number Of Elements

1

Fall Time Typ

15 ns

Transistor Element Material

SILICON

Weight

4.535924g

Transistor Application

SWITCHING

ECCN Kodu

EAR99

Genişlik

4.6mm

Uzunluk

10.4mm

Montaj

Through Hole

Power Dissipation

30W

Drain Currentmax Abs Id

55A

Turn On Delay Time

20 ns

Vgsth Max Id

4V @ 250μA

Kurşunsuz

Lead Free

Rds On Max Id Vgs

18m Ω @ 27.5A, 10V

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Parça Durumu

Active

Montaj Tipi

Through Hole

Turn Off Delay Time

36 ns

JESD-609 Kodu

e3

Gate Charge Qg Max Vgs

60nC @ 10V

Pin Sayısı

3

Seri

STripFET™ II

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Temel Parça No

STP55N

Terminal Sayısı

3

Dual Supply Voltage

60V