STP4NK80ZFP

Teknik Özellikler

Radyasyon Dayanımı

No

Fet Type

N-Channel

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn) - annealed

Ambalaj

Tube

Kılıf / Paket

TO-220-3 Full Pack

Vgs Max

±30V

Yükseklik

9.3mm

Power Dissipation Max

25W Tc

Additional Feature

AVALANCHE RATED

Drain Currentmax Abs Id

3A

Turn On Delay Time

13 ns

Vgsth Max Id

4.5V @ 50μA

Montaj

Through Hole

Power Dissipation

25W

Uzunluk

10.4mm

Genişlik

4.6mm

Transistor Application

SWITCHING

ECCN Kodu

EAR99

Number Of Elements

1

Transistor Element Material

SILICON

Fall Time Typ

32 ns

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Avalanche Energy Rating Eas

190 mJ

Temel Parça No

STP4N

Terminal Sayısı

3

Pin Sayısı

3

Seri

SuperMESH™

Gate Charge Qg Max Vgs

22.5nC @ 10V

JESD-609 Kodu

e3

Turn Off Delay Time

35 ns

Montaj Tipi

Through Hole

Parça Durumu

Active

Rds On Max Id Vgs

3.5 Ω @ 1.5A, 10V

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Kurşunsuz

Lead Free

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Direnç

3.5Ohm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant