STP4NK60Z

Teknik Özellikler

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Gate To Source Voltage Vgs

30V

Fet Type

N-Channel

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Radyasyon Dayanımı

No

Akım Değeri

4A

Power Dissipation Max

70W Tc

Yükseklik

9.15mm

Vgs Max

±30V

Kılıf / Paket

TO-220-3

Ambalaj

Tube

Reach Svhc

No SVHC

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Application

SWITCHING

Genişlik

4.6mm

Uzunluk

10.4mm

Power Dissipation

70W

Montaj

Through Hole

Turn On Delay Time

12 ns

Vgsth Max Id

4.5V @ 50μA

Drain Currentmax Abs Id

4A

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Element Material

SILICON

Fall Time Typ

16.5 ns

Number Of Elements

1

Gate Charge Qg Max Vgs

26nC @ 10V

Seri

SuperMESH™

Pin Sayısı

3

Terminal Sayısı

3

Temel Parça No

STP4N

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Dual Supply Voltage

600V

Kurşunsuz

Lead Free

Rds On Max Id Vgs

2 Ω @ 2A, 10V

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Parça Durumu

Active

Montaj Tipi

Through Hole

Turn Off Delay Time

29 ns

JESD-609 Kodu

e3

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE